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AON7444

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 60V 9A/33A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON7444参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款在众多应用中久经考验的明星产品AON7444。它不仅仅是一个MOSFET,更是您提升系统性能、简化设计挑战的得力伙伴。凭借其出色的电气特性与稳健的封装设计,AON7444自问世以来,便以其卓越的价值赢得了工程师们的广泛信赖,成为高效率电源转换和电机驱动应用中一个经典而可靠的选择。

想象一下,在您的下一款紧凑型电源适配器、高效率DC-DC转换模块或是轻量化的电机驱动板中,需要一颗既能承受高电压、又能通过大电流,同时还能保持极低导通损耗的开关管。这正是AON7444大显身手的舞台。其60V的漏源电压和高达33A(Tc)的连续电流能力,让它从容应对各种严苛的功率切换任务。无论是服务器电源中的同步整流,电动工具中的马达控制,还是车载充电器中的功率路径管理,AON7444都能以其稳定的表现,确保您的系统动力澎湃且运行冷静。其紧凑的8-DFN(3x3)封装,更是为空间受限的现代电子产品提供了完美的解决方案,让高功率密度设计不再是难题。

那么,在众多同类产品中,为何众多资深工程师依然对AON7444情有独钟?答案在于它精准平衡的性能与易用性。仅需4.5V的驱动电压即可获得优异的导通特性,极大简化了驱动电路设计,让您无需为复杂的栅极驱动而烦恼。低至22毫欧的导通电阻,意味着更低的传导损耗和更高的整体效率,直接为您节省能源成本并减少散热负担。宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)确保了它在各种环境下的稳定性和长寿命。虽然该型号目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能记录,使其在特定存量项目和经典设计升级中依然具有重要参考价值。如需获取AOS公司最新的高性能替代方案或技术支援,我们推荐您联系专业的AOS授权代理,他们将为您提供最权威的产品线与技术支持服务。

选择AON7444,就是选择了一份经过市场验证的可靠性与高效能。它承载着AOS在功率半导体领域深厚的技术积淀,曾助力无数产品实现了性能的飞跃。当您追求稳定、高效且经过时间考验的功率解决方案时,AON7444所代表的经典设计哲学与卓越性能参数,依然是您值得信赖的基石。让它为您的创意注入强劲而可靠的动力,共同打造下一个成功之作。

  • 型号:AON7444
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 9A/33A 8DFN
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Ta),33A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):22 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):34 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2000 pF @ 30 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),42W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • AON7444的官网价格:5000:$0.28877,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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