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AON7462

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 300V 900MA/2.5A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON7462参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域,一颗强大的核心器件往往能成为整个系统的点睛之笔。今天,我们向您隆重介绍一款在性能与效率之间取得完美平衡的功率管理明星AON7462。这款由AOS精心打造的N沟道MOSFET,以其卓越的电气特性和坚固的物理设计,正重新定义着中高压、高效率应用的性能标准,为您的产品注入强劲而稳定的动力源泉。

想象一下,在您紧凑的电源适配器、高效的LED驱动或是精密的电池管理系统中,AON7462能够游刃有余地担当起快速开关和高效能量传输的重任。其高达300V的漏源电压和2.5A的连续漏极电流能力,让它足以应对各种严苛的工况。无论是需要稳定供电的工业设备,还是追求轻薄便携的消费电子产品,这颗芯片都能无缝融入,以其低至1.5欧姆的导通电阻,显著降低导通损耗,将更多电能转化为有效输出,而非令人头疼的热量。这意味着您的系统不仅能运行得更凉爽、更安静,整体能效和可靠性也将获得质的飞跃。

那么,在琳琅满目的功率器件中,为何众多工程师都青睐于选择AON7462?答案在于它无与伦比的综合价值。它不仅仅是一组冰冷的参数,更是AOS深厚技术底蕴的结晶。极低的栅极电荷和输入电容确保了超快的开关速度,让您的电路响应迅如闪电,特别适合高频开关应用。宽广的工作温度范围(-50°C至150°C)赋予了它全天候、全地形的适应能力,从酷寒到炎热的极端环境都能稳定工作。采用先进的8-DFN封装,在提供出色散热性能(最大耗散功率达25W)的同时,占地面积仅为3x3毫米,为您宝贵的PCB空间节省每一寸土地,是实现高功率密度设计的理想选择。

选择AON7462,就是选择了一份安心与高效。它简化了您的设计流程,降低了系统的热管理复杂度,并最终为您带来更具市场竞争力的终端产品。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗性能利器,我们的AOS中国代理团队随时准备为您提供从技术选型到供应链支持的全方位服务。让AON7462成为您下一个成功项目的强大引擎,共同开启高效、可靠的电能管理新篇章。

  • 型号:AON7462
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 300V 900MA/2.5A 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):300 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA(Ta),2.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 900mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):5.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):240 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),25W(Tc)
  • 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • AON7462的官网价格:5000:$0.18254,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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