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AON7502

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 21A/30A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON7502参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款能够重新定义性能标准的高效解决方案AON7502。这款来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的N沟道MOSFET,以其卓越的电气性能和坚固的可靠性,正迅速成为工程师们在苛刻应用中的首选。它不仅是一颗元件,更是您提升产品竞争力、实现设计突破的强大引擎。

想象一下,在您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关中,需要处理高达30A的连续电流,同时还要将导通损耗降至最低。AON7502正是为此而生。其惊人的4.7毫欧超低导通电阻(在10V Vgs,20A条件下),意味着在开关过程中,能量以热的形式浪费的部分被大幅削减,直接转化为更高的系统效率和更低的温升。无论是用于提升笔记本电脑的电池续航,优化服务器电源的能源利用率,还是驱动无人机中需要快速响应的电机,这颗芯片都能游刃有余,确保您的系统在高效与冷静中稳定运行。其宽广的-55°C至150°C结温工作范围,更是赋予了产品无与伦比的环境适应能力,从容应对各种严酷挑战。

那么,在众多同类产品中,为何独独选择AON7502?答案在于它对“价值”的深度诠释。首先,其优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)特性,使得开关速度更快,开关损耗更低,这对于高频开关应用至关重要,让您的电源设计不仅高效,而且动态响应出色。其次,紧凑的8-DFN(3x3)封装在节省宝贵PCB空间的同时,凭借出色的热性能(最大功耗31W @ Tc),确保了功率密度与散热能力的完美平衡。这意味着您可以在更小的体积内实现更大的功率输出,为产品的小型化、轻量化设计铺平道路。选择AON7502,就是选择了一种经过市场验证的可靠性与前沿性能的结合。为了确保您能获得正品保障与及时的技术支持,我们强烈建议您通过官方AOS授权代理进行采购,这不仅是品质的承诺,更是项目顺利推进的坚实后盾。

总而言之,AON7502不仅仅是一个参数表上的佼佼者,它是AOS先进半导体技术的结晶,是助力您的产品在市场中脱颖而出的秘密武器。从提升能效到增强可靠性,从简化热管理到优化空间布局,它的每一项优势都直指设计的核心痛点。当您下一次为寻找一颗既能承受高电流冲击,又能保持极致效率的MOSFET而思索时,AON7502无疑是那个能让您信心倍增的答案。拥抱这份卓越,让您的创意与我们的技术一同,点亮更高效、更可靠的未来。

  • 型号:AON7502
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 21A/30A 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A(Ta),30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.7 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1022 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),31W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • AON7502的官网价格:5000:$0.24407,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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