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AOT10N60L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220
- 技术参数:MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOT10N60L参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款集高性能与高可靠性于一身的功率开关解决方案AOT10N60L。它不仅仅是一个MOSFET,更是您提升产品竞争力、实现设计突破的得力伙伴。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理结构,AOT10N60L旨在为您的应用注入澎湃动力与长久稳定的保障,让每一次开关都精准高效,让每一份能量都物尽其用。
想象一下,在您精心设计的开关电源、电机驱动、不间断电源(UPS)或照明镇流器中,AOT10N60L正扮演着能量流控制中枢的角色。其高达600V的漏源击穿电压,让它在应对市电整流后的高压母线时游刃有余,为系统提供了宽裕的安全裕量。而10A的连续电流处理能力,则确保了它能够轻松驾驭主流功率级别的能量传输需求。无论是需要快速切换的PWM控制,还是要求低损耗传导的功率路径,这颗芯片都能以出色的表现,帮助您的设备实现更小的体积、更高的效率和更低的温升,从而在激烈的市场竞争中脱颖而出。
那么,在众多同类产品中,为何AOT10N60L是您的不二之选?答案在于它对“效率”与“易用性”的深刻理解。其导通电阻(Rds(on))在典型工作条件下表现出色,这意味着更低的通态损耗,直接转化为更高的系统效率和更少的散热需求。优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,使得驱动它变得异常轻松,不仅降低了对驱动电路的要求,还有助于提升开关速度、减少开关损耗。TO-220这一经典封装形式,兼顾了优异的散热性能和便捷的安装方式,大大简化了您的生产流程。选择AOT10N60L,就是选择了一份经过市场验证的可靠性与由AOS总代理提供的原厂品质保障,让您的设计从蓝图到量产,一路畅行无阻。
- 型号:AOT10N60L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):750 毫欧 @ 5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):40 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1600 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):250W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- AOT10N60L的官网价格:1000:$0.49748,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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