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AON6542

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON6542参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗卓越的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款在紧凑封装内蕴藏强大能量的解决方案AON6542。它不仅仅是一个MOSFET,更是您提升系统性能、优化空间布局、实现高效能转换的得力伙伴。凭借其卓越的电气特性和稳健的设计,AON6542正成为众多工程师在面临严苛设计挑战时的首选,帮助您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下,在您的手持设备、便携式电源或是高密度服务器主板中,空间是何等宝贵。AON6542以其精巧的8-DFN封装,完美适应了现代电子产品小型化的趋势,让您在寸土寸金的PCB上实现更灵活的布局。无论是作为同步整流的核心开关,还是在负载点(POL)转换器中承担关键的功率调节任务,它都能游刃有余。其高达30V的漏源电压和30A(Tc)的连续漏极电流能力,确保了在各类DC-DC转换、电机驱动、电池保护等应用场景中,都能提供稳定而强劲的动力输出,让您的设计从容应对高负载需求。

那么,为何众多领先的设计师都信赖并选择AON6542?答案在于它无与伦比的性能价值比。极低的导通电阻(典型值仅5毫欧@10V)意味着更少的导通损耗和发热,直接提升了系统的整体效率,让您的设备运行更凉爽、续航更持久。同时,优化的栅极电荷(Qg)特性显著降低了开关损耗,使得高频开关应用成为可能,从而允许使用更小的外围磁性元件,进一步节省成本和空间。其宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)则赋予了产品卓越的环境适应性和可靠性,确保在各种严苛条件下稳定运行。选择AON6542,就是选择了一份对高性能与高可靠性的双重保障。如需获取官方技术支持和样品,欢迎联系我们的AOS中国代理,他们将为您提供专业、及时的服务。

在效率为王、空间至上的今天,AON6542以其卓越的综合性能,为您提供了一个难以拒绝的优质选项。它不仅仅是一个组件,更是您实现产品创新、提升市场竞争力的强大引擎。立即将AON6542纳入您的下一个设计,亲身体验它所带来的变革性力量,开启高效、紧凑、可靠的电源管理新篇章。

  • 型号:AON6542
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN(5x6)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A(Ta),30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):951 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):4.1W(Ta),25W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
  • AON6542的官网价格:3000:$0.14458,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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