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AON7702

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON7702参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电源管理领域,一颗性能卓越的MOSFET往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍AON7702,这颗源自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)SRFET系列的N沟道功率器件,以其卓越的电气性能和坚固的可靠性,正成为工程师们应对严苛设计挑战的得力助手。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品竞争力、实现高效稳定运行的强大引擎。

想象一下,在您的同步整流、电机驱动或高密度DC-DC转换器中,需要一颗能够在紧凑空间内处理大电流、同时保持超低损耗的开关器件。AON7702正是为此而生。其30V的漏源电压和高达36A(Tc)的连续漏极电流能力,让它轻松驾驭主流的中低压、大电流应用场景。无论是服务器电源、笔记本电脑适配器,还是电动工具、无人机电调,这颗芯片都能提供澎湃而精准的动力控制。其内置的肖特基体二极管,进一步优化了开关特性,减少了反向恢复带来的损耗和噪声,让您的系统运行更加安静、高效。

选择AON7702,意味着您选择了一份经得起考验的卓越性能。在10V驱动电压下,其导通电阻(Rds(On))低至惊人的10毫欧,这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生,直接提升了系统的整体能效和可靠性。同时,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数,确保了快速、干净的开关切换,让您的开关电源拥有更快的瞬态响应和更高的工作频率潜力。其宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)和强大的功率耗散能力,赋予了产品无与伦比的环境适应性与耐久性。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时,遍布全球的AOS代理商网络随时准备为您服务,确保您的项目从设计到量产一路畅通。

尽管该型号目前已处于停产状态,但其成熟的设计、卓越的性能和广泛的市场验证,使其依然是特定库存应用或对经典方案有延续性需求项目的绝佳选择。它代表了一个时代的技术精华,承载着AOS对高性能功率半导体不懈追求的承诺。让AON7702成为您经典设计中那颗最稳定、最值得信赖的“心脏”,驱动您的产品在市场中持续闪耀。

  • 型号:AON7702
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A 8DFN
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A(Ta),36A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 13.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):48 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4250 pF @ 15 V
  • FET 功能:肖特基二极管(体)
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),23W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • AON7702的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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