AOSD21313C

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗性能卓越的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍AOSD21313C来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的双P沟道MOSFET阵列，它不仅仅是一个组件，更是您提升系统性能、简化设计流程的强大引擎。凭借其出色的电气特性和坚固的物理设计，它正成为工程师们在面对空间与效能双重挑战时的理想解决方案。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动控制或负载开关电路中，AOSD21313C能够大显身手。其30V的漏源电压和高达5.7A的连续漏极电流，为中小功率应用提供了充沛而稳定的动力支持。更令人印象深刻的是，在10V栅极驱动下，其导通电阻低至仅32毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和可靠性。无论是需要高效切换的DC-DC转换器，还是对空间极为敏感的便携式设备，这颗集成了两个P沟道MOSFET的8-SOIC封装芯片，都能以紧凑的身躯承载重任，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择AOSD21313C，就是选择了一份安心与高效。其极低的栅极电荷（33nC @ 10V）和输入电容，确保了快速的开关速度，显著减少了开关损耗，让您的系统响应更为迅捷。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）赋予了它无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷暑，都能稳定运行。表面贴装型的8-SOIC封装，兼容主流生产工艺，让您的生产组装轻松便捷。当您需要获取这颗性能利器或获得专业的技术支持时，请务必通过官方AOS授权代理进行采购，以确保获得百分百原装正品和完整的售后服务保障。让AOSD21313C成为您下一个成功项目的坚实基石，开启高效、可靠设计的新篇章。

• 型号:AOSD21313C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.7W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AOSD21313C的官网价格：1:$1.45000|3000:$0.37616，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。