




AOT2608L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 11A/72A TO220
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AOT2608L参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界里,一颗强大的心脏往往决定了整个系统的成败。今天,我们向您隆重介绍一款在众多应用中久经考验的功率开关解决方案AOT2608L。这款由业界领先的AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)精心打造的N沟道MOSFET,以其卓越的性能参数,正成为工程师们应对严苛挑战时的信赖之选。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品竞争力、实现设计目标的得力伙伴。
想象一下,在开关电源(SMPS)的拓扑结构中,无论是作为主开关还是同步整流管,AOT2608L都能凭借其高达60V的漏源电压和强劲的电流处理能力(连续漏极电流高达11A @ Ta),确保能量转换过程既稳定又高效。其低至8毫欧的导通电阻(在10V驱动电压下),意味着更低的传导损耗,直接转化为更低的温升和更高的整体能效,让您的电源设计轻松超越能效标准。而在电机驱动、电池保护电路或是DC-DC转换器等场景中,它宽广的工作温度范围(-55°C至175°C结温)和TO-220封装带来的出色散热特性,确保了即使在环境多变、负载波动的条件下,系统依然能够坚如磐石,持续可靠运行。
那么,在琳琅满目的功率器件中,为何AOT2608L能脱颖而出,成为您的明智之选?答案在于它精准的性能平衡与卓越的价值体现。极低的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)特性,让开关速度更快,开关损耗显著降低,这对于高频应用至关重要,能让您的系统响应更迅捷。同时,高达100W(Tc)的功率耗散能力,结合经典的TO-220通孔封装,为热管理提供了极大的便利和灵活性,让散热设计不再是难题。选择AOT2608L,就是选择了一份经过市场验证的可靠性,一份助力产品性能飞跃的保障。如需获取正品保障与专业的技术支持,我们推荐您通过官方AOS授权代理进行采购,确保产品源头与品质无忧。
尽管该型号目前已处于停产状态,但其成熟的设计、广泛的应用验证以及可能存在的库存或替代方案咨询价值,依然使其在特定项目、备件维护或经典设计参考中占据重要地位。它代表了一个时代对于功率密度与可靠性的不懈追求,其设计理念与性能标杆,将持续激励和启发新的创新。让AOT2608L所承载的稳定与高效基因,融入您的下一个伟大设计之中。
- 型号:AOT2608L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 11A/72A TO220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Ta),72A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):55 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2995 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),100W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- AOT2608L的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























