AOT3N100

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界中，一颗强大的心脏往往决定了整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍AOT3N100这不仅仅是一颗MOSFET，更是您突破设计瓶颈、构建高性能电源解决方案的终极密钥。它凝聚了AOS在功率半导体领域的前沿技术，以其卓越的1000V高耐压和稳健的2.8A电流处理能力，为您带来前所未有的性能与安心。

想象一下，在严苛的工业开关电源、高功率因数校正（PFC）电路或是要求苛刻的电机驱动应用中，电压尖峰和热应力是常态。AOT3N100正是为此而生。它那高达132W的功率耗散能力，配合经典的TO-220封装，确保了在持续大功率工作下的出色散热表现，让您的设备即使在-55°C到150°C的宽广温度范围内也能稳定运行，无惧环境挑战。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发面向未来的新能源、充电桩等高端设备，它都能成为您最值得信赖的功率开关。

为什么众多工程师在面临高压、高可靠性选择时，会毫不犹豫地转向AOT3N100？答案在于其深入细节的卓越性能。仅需10V驱动电压即可实现高效导通，其低至6欧姆的导通电阻（Rds(On)）显著降低了导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源设计不仅高效，而且响应迅捷。选择它，就是选择了一种经过市场验证的可靠性，一种能够简化您热管理和电路设计复杂性的智慧。如果您正在寻找稳定可靠的供应渠道，我们遍布全球的AOS代理网络随时准备为您提供专业的技术支持与便捷的服务。

归根结底，在竞争激烈的市场中，产品的差异化往往源于这些核心器件的选择。AOT3N100以其坚固耐用的N沟道MOSFET技术，为您提供了一个兼具高性能、高耐压与高可靠性的完美平衡点。它不仅仅是一个组件，更是您实现产品卓越、赢得客户信赖的强大后盾。立即将AOT3N100纳入您的设计，亲身体验它如何化繁为简，释放您系统的全部潜能，引领您走向下一个成功。

• 型号:AOT3N100
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:830 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:132W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT3N100的官网价格：1000:$1.15500，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。