AOTF10T60PL

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的心脏往往决定了整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍来自AOS的卓越之作AOTF10T60PL。这不仅仅是一颗MOSFET，它是您应对高电压、高效率挑战的得力伙伴，以其600V的坚固耐压和10A的强大电流承载能力，为您的设计注入澎湃而稳定的动力。想象一下，在严苛的应用环境中，它依然能保持冷静高效的运行，将能量损耗降至最低，这正是AOTF10T60PL为您带来的核心价值。

无论是工业电源、电机驱动，还是不断电系统(UPS)和功率因数校正(PFC)电路，AOTF10T60PL都能游刃有余地扮演关键开关角色。它的N通道设计和TO-220F封装，确保了在紧凑空间内实现出色的散热与电气连接，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更高的可靠性和更长的使用寿命脱颖而出。当您需要一颗能在-55°C至150°C的广阔温度范围内稳定工作，并能承受高达33W功率耗散的“硬核”器件时，AOTF10T60PL就是那个值得信赖的选择。

选择AOTF10T60PL，就是选择了一份安心与高效。它极低的导通电阻（典型值700毫欧）意味着更少的热量产生和更高的能源转换效率，直接为您节省运营成本。同时，优化的栅极电荷特性让驱动电路设计更为轻松，加速产品的上市时间。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的市场验证，使其成为特定升级或经典设计延续的优选。如需获取库存或寻找功能升级的替代方案，我们推荐您咨询专业的AOS代理商，他们将为您提供最权威的技术支持和供应链服务，确保您的项目顺利推进。

• 型号:AOTF10T60PL
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1595 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:33W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF10T60PL的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。