




AOT5N50
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220
- 技术参数:MOSFET N-CH 500V 5A TO220
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AOT5N50参数详情:
在追求更高能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款集高性能与高性价比于一身的功率MOSFET明星产品AOT5N50。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品竞争力、实现设计目标的得力伙伴。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理结构,AOT5N50旨在为您的电源转换、电机驱动等应用注入澎湃而稳定的动力,让复杂的设计挑战变得简单可控。
想象一下,在您的开关电源(SMPS)设计中,无论是反激式还是正激式拓扑,都需要一个能够承受高电压、快速切换且损耗极低的开关。AOT5N50正是为此而生。其高达500V的漏源击穿电压和5A的连续电流能力,为AC-DC适配器、LED驱动电源、家用电器辅助电源等提供了充裕的安全裕量和功率处理空间。在电机控制领域,例如风扇、水泵或小型电动工具中,它的快速开关特性和低导通电阻确保了高效、平稳的驱动,有效降低温升,延长整机寿命。TO-220的经典封装形式,使其在通孔安装的应用中兼顾了优异的散热性能和便捷的装配工艺,无论是新设计还是旧产品升级,都能轻松融入。
选择AOT5N50,就是选择了一份安心的保障与显著的价值提升。其1.5欧姆的低导通电阻(在10V驱动下)意味着更低的传导损耗,直接转化为更高的系统效率和更低的发热量。仅需10V的标准驱动电压即可实现完全导通,简化了您的栅极驱动电路设计。同时,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)确保了快速的开关速度,减少了开关损耗,让您的系统工作在高频下也能游刃有余。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围,赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质。这一切卓越性能的背后,是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)在功率半导体领域深厚的技术积淀和严格的质量管控。为确保您能便捷、可靠地获得这颗优质芯片及其完善的技术支持,我们推荐您通过官方授权的AOS总代理进行采购,从而保障货源的正宗与稳定供应。
将AOT5N50纳入您的物料清单,您收获的将不止是一个高性能的N沟道MOSFET,更是一个能助力您的产品在效率、可靠性和成本之间取得最佳平衡的战略组件。它已经准备好,在下一个项目中为您创造亮眼的价值。
- 型号:AOT5N50
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 2.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):19 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):620 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):104W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- AOT5N50的官网价格:1:$1.75000,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























