AOWF600A70F

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能决定整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍AOWF600A70F来自AOS aMOS5家族的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、突破设计瓶颈的得力引擎。凭借其高达700V的漏源电压和8.5A的连续漏极电流能力，它为您的设计提供了坚固的电压屏障和充沛的电流通道，让高功率应用运行得更加稳定、从容。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业逆变器或UPS不间断电源等关键应用中，对效率和可靠性的要求是何等严苛。AOWF600A70F正是为此而生。其低至600毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接将电能更高效地转化为有用功，显著降低系统温升，提升整体能效。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了极快的开关速度，让您的系统响应迅如闪电，同时减少开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应能力，无论严寒酷暑，都能持续稳定输出。

选择AOWF600A70F，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。AOS先进的aMOS5技术平台，确保了每一颗芯片都具备卓越的品质一致性。TO-262F封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性，其良好的散热特性也能帮助功率顺畅耗散，保障芯片长期稳定运行。当您寻求可靠的供应链与技术支持时，遍布全球的授权AOS代理商网络随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。让AOWF600A70F成为您下一代高性能设计的核心动力，携手开启高效、可靠的电能转换新篇章！

• 型号:AOWF600A70F
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 8.5A TO262F
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOWF600A70F的官网价格：1000:$1.16732，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。