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AOTF10N60

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
  • 技术参数:MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOTF10N60参数详情:

在追求更高能效与可靠性的电力电子世界里,一颗强大的核心开关器件往往是决定成败的关键。今天,我们为您隆重介绍来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的明星产品AOTF10N60。这款N沟道功率MOSFET,以其卓越的600V耐压和10A的连续电流能力,为您的高压开关应用注入澎湃动力与坚实保障。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品性能、优化系统设计的得力伙伴。

想象一下,在您的开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路或是电机驱动与照明镇流器中,AOTF10N60正扮演着高效能量转换的核心角色。其高达600V的漏源电压(Vdss)意味着它能从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰,为系统提供坚固的防线。而10A的电流处理能力,则确保了在传递功率时游刃有余,无论是驱动电机还是为复杂的电子设备供电,都能稳定输出,减少瓶颈。这颗芯片生来就是为了在严苛的工业与消费类环境中稳定工作,其宽广的-55°C至150°C结温范围,让您的产品无惧酷暑与严寒,可靠性倍增。

选择AOTF10N60,就是选择了一份卓越的性能承诺。它采用了先进的MOSFET技术,在10V驱动电压下,导通电阻(Rds(on))低至750毫欧,这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生,直接提升了您的系统整体能效,让电能更多地用于做功而非浪费在发热上。同时,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数,使得开关速度更快,开关损耗更低,特别适合高频开关应用,让您的电源设计可以更加紧凑、高效。经典的TO-220-3F封装提供了出色的散热能力和便捷的通孔安装方式,简化了您的生产流程。

当您为下一个项目寻找可靠、高效的高压MOSFET解决方案时,AOTF10N60无疑是经过市场验证的明智之选。它承载着AOS对高品质与高性能的不懈追求。要获取正品保障与专业的技术支持,我们强烈建议您通过官方AOS授权代理进行采购。立即行动,让AOTF10N60成为您产品竞争力的强大引擎,共同开启高效、可靠的电力新纪元!

  • 型号:AOTF10N60
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-220F
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:不适用于新设计
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):750 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):40 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1600 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):50W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220F
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • AOTF10N60的官网价格:1000:$0.87780,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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