AOTF12N65

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能决定整个系统的成败。今天，我们向您隆重介绍来自AOS的卓越力作AOTF12N65。这款N沟道功率MOSFET，以其高达650V的漏源电压和12A的连续电流承载能力，为您的高压、高功率应用注入澎湃动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品性能、降低系统损耗、实现设计精简化的关键钥匙。

想象一下，在您精心设计的开关电源、电机驱动或PFC电路中，AOTF12N65正以其卓越的性能稳定运行。它那低至720毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗，让您的设备在高效转换能量的同时，散发出更少的热量，直接提升了系统的整体能效和长期可靠性。无论是工业自动化设备中需要精准控制的电机，还是数据中心里要求24/7不间断运行的服务器电源，亦或是新能源领域如太阳能逆变器的核心功率模块，这颗芯片都能游刃有余，成为您应对严苛应用挑战的可靠伙伴。

选择AOTF12N65，就是选择了一份安心与远见。它采用成熟的TO-220-3F封装，不仅便于安装和散热，更经过了市场的长期验证。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在极端环境下依然稳定如初。更低的栅极电荷和输入电容特性，让驱动设计更为轻松，有助于减少开关损耗，进一步提升系统频率和功率密度。当您需要高品质、高性能的功率解决方案时，AOS中国代理将为您提供全面的技术支持与可靠的供货保障，让您的创新之路畅通无阻。立即采用AOTF12N65，开启高效、可靠、节能的下一代产品设计之旅！

• 型号:AOTF12N65
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:720 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF12N65的官网价格：1000:$1.07338，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。