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AOTF10T60

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
  • 技术参数:MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOTF10T60参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界里,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款在高压、高功率应用中久经考验的经典之选AOTF10T60。这款来自全球知名半导体制造商AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的N沟道功率MOSFET,以其高达600V的耐压能力和10A的连续电流承载能力,为您的设计注入澎湃动力与坚实保障。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品性能、优化系统效率、赢得市场竞争的得力伙伴。

想象一下,在开关电源、电机驱动、不间断电源(UPS)以及工业照明等高要求应用场景中,系统需要稳定处理高压大电流,同时还要应对复杂的开关瞬态和热应力挑战。AOTF10T60正是为此而生。其TO-220-3F的经典封装,不仅便于安装和散热,更代表着工业级的可靠性与成熟度。当您需要构建一个高效、紧凑且耐用的功率转换模块时,这颗芯片能够轻松胜任主开关或同步整流的关键角色,让您的产品在激烈的市场竞争中,凭借出色的稳定性和能效表现脱颖而出。

那么,在众多选择中,为何要坚定地选择AOTF10T60?首先,它提供了卓越的价值平衡。700毫欧的低导通电阻(在5A, 10V条件下)意味着更低的导通损耗,直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生,让您的设备运行更凉爽、更持久。其次,其优化的栅极电荷(Qg)特性有助于降低开关损耗,并简化驱动电路设计,让您的工程师能够更轻松地实现高性能控制。虽然该型号已进入停产状态,但其卓越的性能和广泛的应用验证使其成为库存备货、经典产品维护或特定项目设计的理想选择。通过与值得信赖的AOS总代理合作,您可以确保获得原装正品和可靠的技术支持,为您的项目保驾护航。选择AOTF10T60,就是选择了一份经过时间淬炼的可靠与高效,它将助您稳固现有市场,并为未来的创新奠定坚实基础。

  • 型号:AOTF10T60
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-220F
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):700毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):35 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1346 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):43W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220F
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • AOTF10T60的官网价格:2000:$0.49791,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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