AOTF27S60L

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天，我们为您隆重介绍AOTF27S60L来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）aMOS系列的明星产品，它不仅是一颗参数卓越的N沟道MOSFET，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的得力伙伴。凭借其600V的高耐压与27A的强劲电流处理能力，它天生就是为应对严苛的高压、大功率环境而生，旨在将系统的能量转换效率推向新的高度。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、电机驱动、不间断电源（UPS）或工业照明系统中，AOTF27S60L将如何大显身手。它那低至160毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的发热和更高的整体能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是面对频繁启停的电机控制，还是需要稳定输出的功率转换，其优异的开关特性与高达150°C的结温工作范围，都提供了坚实的性能保障和设计裕度，让复杂应用变得游刃有余。

选择AOTF27S60L，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商AOS的品质承诺。其成熟的TO-220-3F封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，极大简化了您的生产流程。我们深知，卓越的产品需要同样卓越的服务支持，通过值得信赖的AOS中国代理，您可以轻松获得正品货源、专业的技术咨询与高效的物流服务，确保您的项目从研发到量产一路畅通。这不仅仅是一颗芯片的升级，更是为您整个产品注入高效、可靠与安心的价值之选。

• 型号:AOTF27S60L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 27A TO220-3F
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1294 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF27S60L的官网价格：1:$5.67000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。