AOTF3N100

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界里，一颗强大的心脏至关重要。今天，我们隆重向您介绍AOTF3N100来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的卓越N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您构建高效、稳定、耐用系统的基石。凭借高达1000V的漏源电压和2.8A的连续漏极电流能力，它为您的高压应用提供了坚实的保障，让您在设计中游刃有余，轻松应对严苛的电压挑战。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业控制或新能源逆变器等关键场景中，稳定与效率是成功的命脉。AOTF3N100正是为此而生。其出色的导通电阻特性（仅6欧姆@1.5A，10V）意味着更低的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。无论是驱动感性负载，还是在频繁开关的PWM电路中，它都能确保快速响应和稳定运行，让您的设备在-55°C至150°C的宽广温度范围内始终保持最佳状态，大大延长了产品的使用寿命和可靠性。

为何众多工程师在高压方案中青睐AOTF3N100？答案在于其卓越的综合性能与价值。它采用了经典的TO-220-3F封装，不仅便于安装和散热，其高达38W的功率耗散能力更能确保在高负载下稳定工作。极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体能效再上一个台阶。选择它，就是选择了经过市场验证的AOS品质与性能。如果您正在寻找可靠的供货与技术支持，遍布全球的AOS代理商网络随时准备为您服务，从样品申请到批量供应，全程为您保驾护航。立即将AOTF3N100纳入您的设计，亲身体验它如何为您的产品注入强劲动力与卓越可靠性。

• 型号:AOTF3N100
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:830 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:38W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF3N100的官网价格：1000:$1.05336，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。