AON6314

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天，我们向您隆重介绍一款能够彻底改变您电源设计格局的明星产品AON6314。这款由AOS精心打造的N沟道MOSFET，以其高达85A的连续漏极电流和仅为2.8毫欧的超低导通电阻，为您带来前所未有的低损耗与高功率密度体验。想象一下，在紧凑的空间内实现澎湃的动力输出，同时将热量和能量浪费降至最低，这正是AON6314为您承诺的价值核心。

无论是面对严苛的工业自动化环境，还是追求轻薄高效的消费类快充设备，AON6314都能游刃有余。其30V的漏源电压和宽泛的-55°C至150°C工作温度范围，赋予了它无与伦比的适应性与坚固性。在服务器电源、电机驱动、同步整流或是负载开关等关键应用中，它都能稳定可靠地扮演“能量阀门”的角色，确保每一焦耳的电能都被精准、高效地输送。选择它，就意味着为您的产品注入了持久、强劲且冷静的心脏。

那么，为何众多领先企业都将AON6314作为其高端设计的首选？答案在于它卓越的综合性能与AOS一贯的卓越品质。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，动态响应更迅捷。采用先进的8-DFN（5x6）封装，不仅提供了优异的散热性能，还最大限度地节省了宝贵的PCB空间。当您寻求一个能同时满足高性能、高可靠性和高性价比的解决方案时，AON6314无疑是最明智的抉择。要获取这颗性能猛兽的正品保障与专业技术支持，请务必通过官方AOS授权代理进行采购，为您的创新之旅保驾护航。

• 型号:AON6314
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:32.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6314的官网价格：3000:$0.34622，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。