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AOTF6N90

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
  • 技术参数:MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3F
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOTF6N90参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界里,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款能够重塑您对高性能功率开关认知的卓越产品AOTF6N90。它不仅仅是一个MOSFET,更是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)尖端技术与卓越工艺的结晶,旨在为您的苛刻应用提供无与伦比的性能与坚固保障。想象一下,当您的设计面临高电压、大电流的严峻挑战时,这颗芯片将如同一位沉默而强大的守护者,确保能量高效、精准地流动,让系统运行在最佳状态。

无论是工业电机驱动中需要承受频繁启停和反向电动势冲击,还是开关电源(SMPS)中构建高效、紧凑的拓扑结构,AOTF6N90都能游刃有余。其高达900V的漏源电压(Vdss)和6A的连续漏极电流能力,让它成为反激式转换器、功率因数校正(PFC)电路以及照明镇流器等应用的理想选择。在变频器、UPS不同断电源乃至电焊机等要求严苛的场合,它出色的热性能和TO-220-3F封装带来的优异散热能力,确保了系统即使在-55°C到150°C的宽温范围内也能稳定工作,大幅提升了产品的环境适应性和长期可靠性。这意味着,选择它,就是为您的终端产品注入了持久耐用的基因。

那么,在众多同类产品中,为何AOTF6N90能脱颖而出,成为您的明智之选?答案在于其精心优化的性能参数所带来的综合价值。仅需10V驱动电压即可实现低至2.2欧姆的导通电阻,这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率,直接为您节省能源成本。同时,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,使得开关速度更快、驱动更轻松,减少了开关损耗并简化了驱动电路设计。这颗芯片将高性能与易用性完美结合,让您的设计过程更加顺畅,产品上市时间更快。为了确保您能获得原厂品质的正品芯片与及时的技术支持,我们强烈推荐您通过官方授权的AOS一级代理进行采购。立即拥抱AOTF6N90,让它成为您下一个成功项目的强大引擎,共同开启高效、可靠的电能转换新篇章!

  • 型号:AOTF6N90
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-220F
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3F
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:不适用于新设计
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):900 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.2 欧姆 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):35 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1450 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):50W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220F
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • AOTF6N90的官网价格:1000:$0.84392,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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