AOTF9N70

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能成为您产品脱颖而出的关键。今天，我们为您隆重介绍来自AOS的卓越功率解决方案AOTF9N70。这款N沟道高压MOSFET，以其高达700V的漏源电压和9A的连续漏极电流能力，为您的高压开关应用树立了新的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您实现高效能量转换、提升系统稳定性的得力伙伴，让您的设计在激烈的市场竞争中占据先机。

想象一下，在开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路中，AOTF9N70能够从容应对高压输入，实现快速、干净的开关动作，显著降低导通损耗。在电机驱动、工业照明或是不间断电源（UPS）系统中，其卓越的鲁棒性和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了设备即使在严苛环境下也能长期稳定运行。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发面向未来的高可靠性工业设备，这颗芯片都能为您提供坚实的硬件基础，让复杂的高压功率管理变得简单而高效。

选择AOTF9N70，就是选择了一份放心的保障与显著的价值提升。其1.2欧姆的低导通电阻（在10V驱动下）意味着更低的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。优化的栅极电荷（Qg仅35nC）让开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用。TO-220-3F封装提供了优异的散热性能和便捷的通孔安装方式，简化了您的生产流程。我们作为值得信赖的AOS总代理，不仅确保您能获得原装正品和稳定的供货支持，更能为您提供专业的技术选型指导。立即采用AOTF9N70，让它成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电力新纪元！

• 型号:AOTF9N70
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF9N70的官网价格：1000:$0.80080，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。