AOUS66923

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心往往能决定整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍AOUS66923这不仅仅是一颗MOSFET，更是您开启高效能、高密度电源设计的钥匙。它融合了AOS先进的AlphaSGT技术，在紧凑的UltraSO-8封装内，实现了100V耐压与高达16.5A（Ta）/58A（Tc）的连续电流承载能力，为您带来前所未有的功率密度与性能表现。

想象一下，在您的服务器电源、电信设备、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，AOUS66923正扮演着能量高效流转的关键角色。它卓越的导通电阻（低至11毫欧）和极低的栅极电荷（仅35nC），意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接转化为更低的系统温升和更高的整体效率。无论是面对严苛的工业环境（工作温度范围-55°C至150°C），还是追求极致空间利用率的消费类快充方案，它都能游刃有余，确保您的产品稳定运行，性能出众。

选择AOUS66923，就是选择了一份安心与领先。其出色的热性能（最大功耗73W @ Tc）和坚固的可靠性设计，大幅延长了产品生命周期，降低了您的维护成本。更重要的是，通过我们专业的AOS代理网络，您不仅能获得这颗性能强悍的芯片，更能得到从选型支持到技术方案的全方位服务。让AOUS66923成为您下一个爆款产品的动力心脏，与我们一同，将高效能的电力解决方案推向新的高峰！

• 型号:AOUS66923
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:UltraSO-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 16.5A ULTRASO-8
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.5A（Ta），58A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1725 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），73W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:UltraSO-8
• 封装/外壳:3-PowerSMD，引线
• AOUS66923的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。