AOW29S50

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心往往能重新定义设计的边界。今天，我们为您带来这样一颗足以改变游戏规则的功率器件AOW29S50。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是AOS aMOS系列技术实力的结晶，以其高达500V的漏源电压和29A的连续漏极电流承载能力，为您的电源转换、电机驱动等高要求应用注入澎湃而稳定的动力。想象一下，在严苛的工作环境下，您的系统依然能保持冷静高效的运行，这正是AOW29S50致力于为您呈现的价值。

无论是工业自动化中驱动电机的变频器，还是服务器电源中至关重要的DC-DC转换环节，甚至是不断追求更高能量密度的新能源车载充电器，AOW29S50都能凭借其卓越的性能找到自己的舞台。其低至150毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗，直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。而高达357W的功率耗散能力，配合宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了它在各种极端环境中都能稳定可靠，让您的产品设计无惧挑战，从容应对未来。

选择AOW29S50，就是选择了一份对性能与品质的双重保障。AOS先进的aMOS技术平台，赋予了它优异的开关特性和坚固性，10V的驱动电压下即可实现优异的导通表现，同时其栅极电荷与输入电容经过精心优化，有助于简化您的驱动电路设计，提升整体系统的开关频率和响应速度。这颗芯片是那些对效率、功率密度和长期可靠性有苛刻要求的项目的理想心脏。如果您正在寻找能够提升产品竞争力的关键元件，不妨联系我们的AOS代理商，获取详细的技术支持与选型服务，让AOW29S50成为您下一个成功设计的强大基石。

• 型号:AOW29S50
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO262
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1312 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:357W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW29S50的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。