




AO4290A
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-SOIC
- 技术参数:MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC
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AO4290A参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界里,一颗强大的“心脏”往往决定了整个系统的成败。今天,我们向您隆重介绍AO4290A一款源自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)AlphaSGT家族的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品性能、简化设计流程、赢得市场竞争的秘密武器。凭借其高达100V的漏源电压和15.5A的连续漏极电流承载能力,它为您提供了充沛的动力储备,让您的设计游刃有余,轻松应对各种严苛工况。
想象一下,在您的开关电源(SMPS)中,AO4290A以其超低的导通电阻(仅6.4毫欧)和卓越的开关特性,能显著降低导通损耗和开关损耗,直接转化为更高的系统效率和更低的温升。无论是服务器电源、工业电源模块,还是高要求的电动工具、电机驱动控制,这颗芯片都能稳定输出,确保动力澎湃而持久。其宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)意味着它能在严寒或酷热的环境中依然保持冷静,为户外设备、汽车电子等应用提供了坚实的可靠性保障。当您需要一款能在紧凑空间内处理高功率的解决方案时,它的8-SOIC表面贴装封装便是理想选择。
为什么众多工程师在面临关键选型时会倾向于AO4290A?答案在于它带来的综合价值远超一个简单的参数表。它采用先进的AlphaSGT技术,在相同的硅片面积下实现了更优的Rds(On)与Qg(栅极电荷)平衡,这意味着您不仅能获得更低的传导损耗,还能实现更快的开关速度和更低的驱动损耗,整体系统效率得以全方位优化。其优化的阈值电压和栅极电荷特性,让驱动电路设计更为简单,减少了外围元件,从而节省了宝贵的PCB空间和整体BOM成本。选择它,就是选择了一种经过市场验证的高性能与高可靠性。若您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支持,可以咨询官方授权的AOS代理商,他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让AO4290A成为您下一个成功产品的强大基石,共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。
- 型号:AO4290A
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.4 毫欧 @ 15.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):95 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4525 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
- AO4290A的官网价格:2500:$0.84700,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























