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AO4419

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-SOIC
  • 技术参数:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AO4419参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗性能卓越的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款能够为您的电源管理方案注入强劲动力的核心元件AO4419。这款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)精心打造的P沟道MOSFET,以其出色的电气性能和坚固的可靠性,正成为工程师们在众多应用中信赖的伙伴。它不仅仅是一个开关,更是您提升系统能效、简化设计、确保稳定运行的得力助手。

想象一下,在您的便携式设备、电池保护板或是DC-DC转换器中,需要一颗能够高效控制电流通断、同时将能量损耗降至最低的开关。AO4419正是为此而生。其30V的漏源电压和高达9.7A的连续漏极电流承载能力,让它轻松应对主流低压应用场景。无论是为智能手机的电源路径管理保驾护航,还是在笔记本电脑的负载开关中实现快速响应,亦或是在各类消费电子产品的电机驱动中提供稳定动力,AO4419都能游刃有余,确保每一分电力都被精准、高效地利用。其紧凑的8-SOIC表面贴装封装,更是为空间日益紧张的现代PCB布局提供了极大的便利。

选择AO4419,就是选择了一份放心的保障与显著的价值提升。其核心技术优势在于极低的导通电阻在10V驱动电压下,仅有20毫欧的最大值。这意味着在导通状态下,芯片自身的功耗被大幅降低,不仅提升了整体系统的能源效率,减少了发热,更延长了电池续航和设备寿命。同时,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数,确保了快速、干净的开关特性,让您的系统响应更迅捷,电磁干扰(EMI)更易控制。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围,则赋予了它无与伦比的环境适应性和长期可靠性。如果您正在寻找一个能够完美平衡性能、尺寸与成本的解决方案,AO4419无疑是您的理想之选。如需获取官方技术支持和可靠货源,敬请联络AOS中国代理,他们将为您提供专业、高效的服务。

  • 型号:AO4419
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.7A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 9.7A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):32 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1900 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
  • AO4419的官网价格:1:$1.24000|3000:$0.31192,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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