AO6800

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗优秀的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍AO6800，这款来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的双N沟道MOSFET阵列，正是为满足您对高性能、小型化与成本效益的严苛要求而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、加速项目落地的强大引擎。其卓越的逻辑电平门驱动特性，让您在低电压控制系统中也能实现高效、稳定的功率切换，为您的设计注入澎湃动力。

想象一下，在空间极其有限的便携式设备、高密度的主板电源管理模块，或是需要高效同步整流的DC-DC转换器中，AO6800都能大显身手。它采用紧凑的6-TSOP（SC-74，SOT-457）封装，完美契合表面贴装工艺，能帮助您大幅节省宝贵的PCB空间。无论是驱动电机、管理电池负载，还是作为高效的负载开关，其30V的漏源电压和3.4A的连续漏极电流能力，都确保了在各种应用场景下的出色表现和长久耐用。从消费电子到工业控制，它都是您值得信赖的伙伴。

为何众多工程师在面临选型时，会毫不犹豫地选择AO6800？答案在于它无与伦比的综合价值。其导通电阻低至60毫欧（在3.4A，10V条件下），这意味着更低的导通损耗和发热，直接提升了系统的整体能效和可靠性。极低的栅极电荷（10nC @ 10V）和输入电容，确保了快速的开关速度，让您的系统响应更为迅捷。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）赋予了它应对严酷环境挑战的底气。更重要的是，通过正规的AOS授权代理渠道，您不仅能获得100%原装正品保障，还能享受到专业的技术支持和稳定的供货服务，让您的供应链高枕无忧。选择AO6800，就是选择了一份安心、高效与领先的性能承诺。

• 型号:AO6800
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-TSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.15W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SC-74，SOT-457
• 供应商器件封装:6-TSOP
• AO6800的官网价格：1:$0.83000|3000:$0.19688，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。