AOB11S65L

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能成为您产品脱颖而出的关键。今天，我们为您隆重介绍AOB11S65L来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）aMOS系列的卓越N沟道MOSFET。它不仅仅是一个开关，更是您实现高效、紧凑、高可靠性电源设计的得力伙伴。凭借其650V的高压耐受能力和11A的连续电流承载能力，它为您的设计提供了坚实的性能基础，让您在应对严苛工况时充满信心。

想象一下，无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，AOB11S65L都能在其中扮演高效能量转换的核心角色。其卓越的导通电阻（低至399毫欧）和优化的栅极电荷特性，意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。在-55°C至150°C的宽广工作温度范围内，它都能稳定运行，确保您的设备在多样化的环境中持久可靠。采用坚固的TO-263（DPak）封装，它不仅提供了出色的散热性能，也便于自动化表面贴装生产，助力您提升制造效率。

为何众多工程师在需要高性能MOSFET时会优先考虑AOB11S65L？答案在于它精准平衡了性能、可靠性与成本。它解决了高压应用中开关损耗与导通损耗的经典矛盾，让您的电源设计在效率上更上一层楼。选择它，就是选择了一份来自AOS先进半导体技术的保障。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道和专业的技术支持，我们的官方AOS代理网络随时准备为您服务，从选型到量产，全程为您保驾护航。让AOB11S65L成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效节能的新篇章。

• 型号:AOB11S65L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:399 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:646 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:198W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB11S65L的官网价格：1:$3.61000|800:$1.45376，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。