AOK29S50L

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界里，一颗强大的核心器件往往能成为整个系统脱颖而出的关键。今天，我们为您隆重介绍AOK29S50L来自AOS aMOS系列的高性能N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、实现设计突破的得力引擎。凭借其高达500V的漏源电压和29A的连续漏极电流承载能力，这颗芯片天生就是为了应对严苛的高压、大电流应用环境而生，为您带来前所未有的功率处理信心。

想象一下，无论是工业电机驱动中需要精准控制的瞬间大功率输出，还是服务器电源、不间断电源（UPS）系统里对效率和稳定性近乎苛刻的要求，甚至是新能源领域如太阳能逆变器中的能量转换核心，AOK29S50L都能游刃有余地胜任。它卓越的导通电阻（低至150毫欧）意味着更低的传导损耗，而优化的栅极电荷（仅26.6nC）则确保了超快的开关速度和更低的驱动损耗，这两者的完美结合，直接转化为系统整体效率的显著提升和温升的有效控制，让您的终端产品在能效和可靠性上赢得市场先机。

选择AOK29S50L，就是选择了一份经得起验证的品质承诺。它采用坚固的TO-247封装，提供了优异的散热性能和机械强度，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在极端环境下依然稳定运行。其背后是AOS强大的技术创新实力和严格的质量管控体系。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请认准官方授权的AOS总代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让AOK29S50L成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章！

• 型号:AOK29S50L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1312 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:357W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• AOK29S50L的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。