AOB160A60L

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界中，一颗强大的心脏往往决定了整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍AOB160A60L来自AOS aMOS5家族的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的关键引擎。凭借其高达600V的漏源电压和24A的连续漏极电流承载能力，这颗芯片天生就是为应对严苛的高压、高功率环境而生，为您带来前所未有的稳定与安心。

想象一下，在您的工业电机驱动、不间断电源(UPS)系统或是高功率开关电源(SMPS)中，AOB160A60L正以其卓越的性能默默守护着每一次能量转换。它极低的160毫欧导通电阻，意味着在导通状态下能量损耗被大幅削减，让您的设备运行更凉爽、效率更高。无论是面对快速切换的PWM信号，还是需要处理瞬间大电流的冲击，其优化的栅极电荷和输入电容特性都能确保快速、干净的开关响应，有效减少开关损耗和电磁干扰，让您的系统设计边界更宽裕，性能更出众。

选择AOB160A60L，就是选择了一份经得起考验的承诺。它采用坚固的TO-263 (D2Pak)封装，提供出色的散热性能和机械强度，轻松应对-55°C至150°C的广阔工作温度范围，确保在极端环境下依然稳定如初。这背后，是AOS领先的aMOS5技术平台和严格的质量管控体系在提供支撑。当您需要可靠、高性能的功率解决方案时，与值得信赖的AOS一级代理合作，不仅能确保您获得正品货源和具有竞争力的价格，更能获得专业的技术支持和快速响应的服务，让您的产品从设计到量产一路畅通。立即将AOB160A60L纳入您的设计，亲身体验它如何为您的下一个项目注入强劲动力与卓越可靠性！

• 型号:AOB160A60L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB160A60L的官网价格：1:$4.65000|800:$1.69555，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。