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AON5802BG
- 制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha and Omega Semiconductor）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:6-DFN-EP（2x5）
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 10A 6DFN
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AON5802BG参数详情：
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- 型号:AON5802BG
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:6-DFN-EP（2x5）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 6DFN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 7A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1050pF @ 15V
- 功率 - 最大值:3.1W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-WFDFN 焊盘
- 供应商器件封装:6-DFN-EP（2x5）
- AON5802BG的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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