AOB66616L

在追求极致效率与可靠性的功率电子世界里，一颗强大的心脏往往决定了整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍AOB66616L来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）AlphaSGT家族的N沟道MOSFET明星产品。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、突破设计瓶颈、赢得市场竞争的关键武器。凭借其高达60V的漏源电压和惊人的38.5A（Ta）/140A（Tc）连续漏极电流能力，这颗芯片天生就是为应对严苛挑战而生，为您带来前所未有的功率处理信心。

想象一下，在您的服务器电源、高效率DC-DC转换器、电机驱动控制或任何需要稳健开关和高效能量管理的应用中，AOB66616L都能成为最可靠的执行者。其采用先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的3.2毫欧@20A，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的使用寿命。无论是面对工业自动化设备的持续高负荷，还是消费类电子对紧凑空间内散热能力的严苛要求，它都能游刃有余，确保系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行。

选择AOB66616L，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。它采用坚固的TO-263（D2Pak）表面贴装封装，功率耗散能力高达125W（Tc），结合仅60nC@10V的低栅极电荷，实现了开关速度与驱动简易性的完美平衡，让您的设计在性能和易用性上双双得分。当您致力于打造下一代领先的电源或驱动方案时，与可靠的AOS一级代理合作，确保您能获得正品保障、充足库存和专业的技术支持，让这颗高性能芯片的价值在您的产品中得到百分百的释放。立即将AOB66616L纳入您的设计，亲身体验它如何以卓越的电气性能和坚固的可靠性，为您的创新注入强劲动力，开启能效新纪元。

• 型号:AOB66616L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38.5A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2870 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:8.3W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB66616L的官网价格：1:$3.60000|800:$1.26045，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。