AOD3N50_004

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计领域，一颗性能卓越的功率开关器件往往是决定成败的关键。今天，我们向您隆重介绍来自AOS的明星产品AOD3N50_004。这款N沟道MOSFET以其高达500V的漏源电压和2.8A的连续漏极电流能力，为您提供了一个坚固而高效的功率处理核心。它不仅仅是一个简单的开关，更是您提升系统整体性能、实现设计目标的得力伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）中，无论是AC-DC适配器还是LED驱动电源，AOD3N50_004都能凭借其优异的电气特性，轻松应对主功率开关或PFC（功率因数校正）电路中的严苛要求。其低至3欧姆的导通电阻（在1.5A，10V条件下）意味着更低的传导损耗，而仅8nC的栅极电荷则确保了快速的开关速度和更低的驱动损耗，这直接转化为更高的系统效率和更低的温升。对于电机驱动、DC-DC转换器以及需要高效功率管理的工业控制应用，这颗芯片同样游刃有余，其宽广的工作温度范围（-50°C至150°C）和TO-252（D-Pak）的封装形式，提供了出色的散热能力和便捷的表面贴装工艺，让您的产品在复杂环境中也能稳定运行。

选择AOD3N50_004，就是选择了一份来自AOS尖端技术的保障。它集高耐压、低损耗、快速开关和强健的可靠性于一身，能有效帮助您简化设计、优化BOM成本并加速产品上市进程。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能使其在特定应用和库存解决方案中依然极具价值。如果您正在寻找这款经典器件的可靠来源或技术咨询，我们的AOS中国代理团队随时准备为您提供专业的支持与服务。让AOD3N50_004成为您下一个成功设计的强大引擎，开启高效能、高可靠性的新篇章。

• 制造商产品型号：AOD3N50_004
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：331pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：57W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• AOD3N50_004的官网价格：停产，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。