




AON6758_102
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-DFN(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AON6758_102参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款在中小功率应用领域表现卓越的功率MOSFETAON6758_102。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品性能、优化系统设计的得力伙伴。凭借其出色的电气特性和坚固的物理设计,它能够帮助您的设备在激烈的市场竞争中脱颖而出,实现更高效、更稳定、更持久的运行。
想象一下,在您的同步整流电路中,需要一颗能够快速响应、导通损耗极低的开关;在您的电机驱动模块里,渴望一个能承受频繁启停、散热表现优异的功率管;或者在您的DC-DC转换器、负载开关中,寻求兼具高电流处理能力与紧凑体积的解决方案。AON6758_102正是为这些挑战而生的。其30V的漏源电压和高达27A(环境温度)/32A(壳温)的连续漏极电流,为各种24V或更低电压系统的功率路径管理提供了充裕的余量。无论是提升笔记本电脑的电源适配器效率,还是增强电动工具的动力输出与续航,这颗芯片都能游刃有余地融入您的设计蓝图,将电能高效、精准地输送到每一个需要它的角落。
选择AON6758_102,就是选择了一份经过验证的卓越与安心。它隶属于AOS备受赞誉的AlphaMOS系列,采用了先进的MOSFET技术。其最引人注目的亮点在于极低的导通电阻在10V驱动电压、20A电流下,最大值仅为3.6毫欧,这意味着在导通状态下的功率损耗被降至极低,直接转化为更高的系统效率和更低的温升。同时,优化的栅极电荷(Qg最大值40nC @10V)和输入电容,确保了快速的开关速度,减少了开关损耗,让您的系统在高频工作中也能保持冷静与高效。其内置的体肖特基二极管提供了额外的保护,增强了系统的鲁棒性。表面贴装的8-DFN(5x6)封装不仅节省了宝贵的PCB空间,其优异的导热性能(壳温下功率耗散高达41W)也保障了芯片在严苛环境下的稳定工作。虽然该型号目前已停产,但通过可靠的AOS代理商,您依然可以获取库存或找到性能相当的替代方案,确保您的生产与研发计划顺利进行。让AON6758_102成为您下一个成功产品的强大心脏,开启能效新纪元。
- 制造商产品型号:AON6758_102
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:AlphaMOS
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):27A(Ta),32A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.6 毫欧 @ 20A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):40nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1975pF @ 15V
- FET功能:肖特基二极管(体)
- 功率耗散(最大值):4.1W(Ta),41W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-DFN(5x6)
- AON6758_102的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























