AOD66923

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍一款集高性能与高可靠性于一身的明星产品AOD66923。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是AOS公司AlphaSGT技术平台的杰出代表，旨在为您的设计注入澎湃动力与非凡的稳定性。凭借其100V的耐压能力与高达58A（Tc）的连续漏极电流，这颗芯片如同一位永不疲倦的电力卫士，轻松应对严苛的负载挑战，让您的系统运行在高效与安全的理想状态。

想象一下，在您繁忙的服务器电源、高效的工业电机驱动，或是紧凑而强大的DC-DC转换器中，AOD66923正发挥着核心作用。它卓越的导通电阻（低至11毫欧）意味着更低的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率，让您的设备在长时间运行中依然保持冷静与高效。无论是面对消费电子中的快速充电需求，还是汽车电子辅助系统里的稳定供电，它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）都确保了在各种极端环境下性能不打折扣，可靠性始终如一。

选择AOD66923，就是选择了一份安心的保障与领先的性能。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关过程更为迅速、平滑，显著降低了开关损耗，特别适合高频开关应用，让您的电源设计在效率竞赛中脱颖而出。采用坚固的TO-252（DPAK）封装，它不仅提供了优异的散热性能，也兼容自动化表面贴装工艺，极大简化了您的生产流程。当您需要这样一款能提升产品竞争力、降低系统总成本的优质器件时，请务必联系我们的官方AOS代理商，获取正品货源与专业的技术支持，让我们携手，将创新的电力解决方案变为现实。

• 型号:AOD66923
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 16.5A/58A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.5A（Ta），58A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1725 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），73W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD66923的官网价格：1:$1.89000|2500:$0.52426，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。