




AOI4144_002
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-251A
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 13A/55A TO251A
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOI4144_002参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗性能卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍AOI4144_002来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)SDMOS系列的一款N沟道MOSFET。它不仅仅是一个组件,更是您提升系统性能、优化能源管理的强大引擎。凭借其出色的电气特性与稳健的封装设计,它能在严苛的应用环境中持续稳定输出,为您的创新构想提供坚实的硬件基石。
想象一下,在您的电源转换模块中,无论是DC-DC转换器、电机驱动还是负载开关,AOI4144_002都能大显身手。它高达30V的漏源电压和13A(环境温度)/55A(壳温)的连续漏极电流能力,意味着它能轻松应对中高功率场景下的开关需求。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压、20A电流下,最大值仅为8毫欧。这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生,让您的系统运行更凉爽、更高效,从而显著延长设备寿命并提升整体能效。无论是消费电子、工业控制还是汽车辅助系统,它都是实现紧凑、高效设计的理想选择。
为何众多工程师在面临选型时,会倾向于选择这颗芯片?答案在于它卓越的综合价值。快速的开关特性得益于其优化的栅极电荷(Qg最大值28nC @ 10V)和输入电容,这有助于减少开关损耗,提升频率响应。宽广的工作温度范围(-55°C ~ 175°C结温)确保了它在极端环境下依然可靠。采用TO-251A(IPAK)封装,不仅提供了优异的散热性能(壳温下功率耗散高达50W),也兼顾了PCB布局的灵活性与生产的便利性。虽然该型号已处于停产状态,但通过可靠的AOS代理渠道,您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持,确保项目供应链的稳定与安全。选择AOI4144_002,就是选择了一份经过市场验证的性能承诺与设计自由度,让您能将更多精力聚焦于核心功能的创新与优化。
- 制造商产品型号:AOI4144_002
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A/55A TO251A
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:SDMOS
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):13A(Ta),55A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):28nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1430pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.3W(Ta),50W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:TO-251A
- AOI4144_002的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























