




AOW10N60
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-262
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 10A TO262
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOW10N60参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界中,一颗强大的核心开关器件往往是决定成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款专为严苛应用而生的高性能功率MOSFETAOW10N60。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品竞争力、实现设计目标的得力伙伴。源自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的先进技术与精湛工艺,赋予了它卓越的电气特性和坚固的物理结构,旨在帮助您轻松驾驭高压、大电流的挑战,将复杂的功率转换任务变得简单而高效。
想象一下,在您的开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动控制器或是不间断电源(UPS)系统中,AOW10N60正扮演着能量流“指挥官”的角色。其高达600V的漏源电压(Vdss)和10A的连续漏极电流能力,为应对工业级电压波动和负载冲击提供了坚实的保障。无论是驱动一台精密的工业电机,还是在数据中心为关键服务器提供纯净稳定的后备电力,这颗芯片都能以极低的导通损耗(Rds(on))和快速的开关响应,确保能量以最高效的方式传递,显著减少系统发热,提升整体能效。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更持久,同时为用户节省可观的能源成本。
为什么众多工程师在面临高压开关选型时,会毫不犹豫地选择AOW10N60?答案在于它精准平衡的性能与易用性。它采用经典的TO-262封装,兼顾了出色的散热能力与便捷的安装工艺。优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数,意味着它对驱动电路的要求更为友好,让您能够简化驱动设计,降低周边元件成本,同时获得更干净、更快速的开关波形,有效抑制电磁干扰(EMI)。其宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)确保了它在从寒冷环境到高温机箱内的各种极端条件下都能稳定工作,大大提升了终端产品的环境适应性和可靠性。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时,请务必通过官方AOS授权代理进行采购,以确保获得百分百正品与完整的售后服务。选择AOW10N60,就是选择了一份对性能的承诺和对项目成功的投资,让它成为您下一个明星产品中不可或缺的“强力心脏”。
- 型号:AOW10N60
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-262
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO262
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):750 毫欧 @ 5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):40 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1600 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):250W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-262
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
- AOW10N60的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























