




AON6278
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 80V 34A/85A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AON6278参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款集高性能与高可靠性于一身的明星产品AON6278。它不仅仅是一个MOSFET,更是您提升系统能效、优化产品设计的强大引擎。凭借其卓越的电气特性与坚固的物理设计,AON6278正重新定义中高功率密度应用的性能标杆,让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出,赢得先机。
想象一下,在您的服务器电源、通信基站电源或高效率DC-DC转换器中,需要一颗能够承受高压、通过大电流,同时将导通损耗降至最低的开关。这正是AON6278大展身手的舞台。其高达80V的漏源电压和惊人的连续漏极电流能力(34A @ Ta, 85A @ Tc),为系统提供了充沛的功率处理裕量,轻松应对各种严苛的负载波动。无论是数据中心里24小时不间断运行的电源单元,还是工业自动化设备中需要快速响应的电机驱动,AON6278都能以稳定、高效的表现为您的系统保驾护航,确保核心设备持续、可靠地运转。
选择AON6278,就是选择了一份对卓越性能的承诺。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下,仅3.3毫欧的Rds(on)值,意味着在导通状态下,电能损耗被大幅削减,系统整体效率得到显著提升,这不仅降低了运行成本,也缓解了散热设计的压力。同时,优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)特性,确保了快速、干净的开关切换,有效降低了开关损耗和电磁干扰(EMI),让您的设计更简洁,性能更优越。其采用坚固的8-DFN(5x6)封装,提供了出色的热性能,结合宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C TJ),赋予了产品无与伦比的鲁棒性,从容应对各种恶劣环境挑战。
当您决定将这份卓越的性能融入您的下一个伟大设计时,一个可靠、专业的合作伙伴至关重要。我们,作为值得信赖的AOS中国代理,不仅为您提供原装正品的AON6278,更将提供全面的技术支持和供应链保障,从选型指导到量产供应,全程陪伴,助力您的创意快速、平稳地转化为市场领先的产品。选择AON6278,选择我们,让我们一起开启高效、可靠的电力电子新篇章!
- 型号:AON6278
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 80V 34A/85A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A(Ta),85A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.3 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):86 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4646 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):7.4W(Ta),208W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
- AON6278的官网价格:1:$3.88000|3000:$1.21022,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























