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AON7514

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON7514参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界中,一颗强大的“心脏”往往能决定整个系统的成败。今天,我们向您隆重介绍AON7514,这颗来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的N沟道功率MOSFET,正是为那些对性能与空间有着严苛要求的应用而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键伙伴。凭借其出色的电气特性和坚固的物理设计,AON7514能帮助您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出,赢得用户的信赖与口碑。

想象一下,在紧凑的无人机电调中,需要快速精准地控制电机转速;在高效的同步整流DC-DC转换器里,每一份能量的转换都关乎整体续航;在各类便携式设备的负载开关与电池管理电路中,稳定与安全是首要考量。AON7514正是这些高要求场景中的理想选择。其30V的漏源电压和高达30A(Tc)的连续漏极电流能力,为系统提供了充沛的动力支持。而低至5毫欧的导通电阻,意味着更低的导通损耗和发热,直接提升了整机效率,让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是消费电子、工业控制还是汽车辅助系统,它都能游刃有余,成为工程师手中值得信赖的“王牌”。

选择AON7514,就是选择了一份从容与保障。其4.5V的低驱动电压门槛,使其能与多种主流控制器轻松匹配,简化您的驱动电路设计。极低的栅极电荷和输入电容,确保了超快的开关速度,显著降低开关损耗,特别适合高频应用,让您的电源设计轻松迈向更高频率、更高功率密度。表面贴装的8-DFN(3x3)紧凑封装,在节省宝贵PCB空间的同时,通过裸露的焊盘实现了卓越的散热性能,功率耗散能力高达23W(Tc),保障了芯片在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。虽然该型号已处于停产状态,但其卓越的性能指标和广泛的应用验证,使其在特定存量市场和备件需求中依然闪耀着价值。如需获取AOS最新的替代方案或技术支持,我们推荐您联系官方授权的AOS代理,他们将为您提供专业的选型指导与供应链支持。让AON7514所代表的AOS高性能基因,继续为您的创新产品注入强劲动力。

  • 型号:AON7514
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Ta),30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):951 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):3W(Ta),23W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • AON7514的官网价格:5000:$0.16019,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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