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AOT360A70L

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220
  • 技术参数:MOSFET N-CH 700V 12A TO220
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOT360A70L参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心往往能重新定义设计的边界。今天,我们为您带来这样一颗足以改变游戏规则的明星产品AOT360A70L。它不仅仅是一个700V高压N沟道MOSFET,更是AOS aMOS5技术平台集大成之作,旨在将您的电源系统性能推向全新高度。想象一下,在严苛的高压环境中,依然能实现极低的导通损耗与卓越的开关效率,这意味着更低的温升、更高的功率密度以及前所未有的系统稳定性,让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出,赢得客户的持久信赖。

这颗芯片的强大实力,使其成为众多高性能应用的理想心脏。无论是要求严苛的工业级开关电源(SMPS)、服务器与数据中心电源,还是不断进化的新能源领域如光伏逆变器、储能系统,甚至是高可靠性的电机驱动与照明解决方案,AOT360A70L都能游刃有余。它高达12A的连续漏极电流和156W的强大功率处理能力,确保了在满载甚至过载情况下的从容不迫;而700V的漏源电压则提供了充足的电压裕量,有效抵御电网波动和感性负载带来的电压尖峰,为您的系统构筑起坚实的安全防线。这意味着,从工厂车间到云端数据中心,从绿色能源到智能家居,您的创新想法都能获得最坚实的硬件支撑。

那么,在众多选择中,为何最终锁定AOT360A70L?答案在于它精准击中了工程师对效率、可靠性和总拥有成本的综合诉求。其核心秘诀在于aMOS5技术带来的超低导通电阻(Rds(on)),在10V驱动下仅360毫欧,这直接转化为更少的导通损耗和热量积累,让您的系统运行更“冷静”,效率自然节节攀升。同时,优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)特性,显著降低了开关损耗,并简化了驱动电路设计,让高频高效运行变得轻而易举。选择它,就是选择了一份经过市场验证的卓越品质,AOS一贯的严格品控确保了每一颗芯片都具备从-55°C到150°C的宽广工作温度范围内的稳定表现。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗性能利器,遍布全球的AOS代理商网络随时准备为您提供专业的技术支持与便捷的供应链服务,助您将蓝图迅速转化为领先市场的产品。

  • 型号:AOT360A70L
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 700V 12A TO220
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):360 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1360 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):156W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • AOT360A70L的官网价格:1:$3.15000,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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