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AOTF9N90
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
- 技术参数:MOSFET N-CH 900V 9A TO220-3F
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOTF9N90参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界里,一颗强大的核心器件往往能成为您产品脱颖而出的关键。今天,我们向您隆重介绍来自AOS的明星产品AOTF9N90。这不仅仅是一颗MOSFET,它是专为应对严苛高压环境而生的能量控制大师,以其高达900V的漏源电压和9A的连续电流承载能力,为您的高压开关电源、电机驱动和工业控制系统注入澎湃而稳定的动力。选择它,就是选择为您的设计构建一个坚如磐石的能量基石。
想象一下,在您的服务器电源、UPS不间断电源或太阳能逆变器中,需要一颗能够在高压下快速、高效切换的开关。AOTF9N90正是为此而生。其N沟道设计和优化的1.3欧姆导通电阻,意味着在导通时损耗极低,能显著提升整机效率,让热量更少,系统运行更凉爽、更持久。无论是面对工业自动化设备中电机的启停控制,还是LED照明驱动中的精密调光,这颗芯片都能游刃有余,确保能量精准、无误地送达每一个需要它的角落。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围,更是让它无惧严寒酷暑,在各种恶劣环境下依然保持卓越性能。
为何众多工程师在高压应用选型时,会毫不犹豫地锁定AOTF9N90?答案在于它卓越的综合价值。它不仅提供了关键的电压与电流参数,更在动态性能上精益求精。仅58nC的低栅极电荷和10V的标准驱动电压,让您的驱动电路设计变得异常简单,开关速度更快,系统响应更迅捷,从而轻松实现更高的工作频率和更紧凑的磁性元件设计。采用经典的TO-220-3F封装,它兼顾了优异的散热能力与便捷的安装工艺,大幅降低了您的生产与维护复杂度。当您追求更高功率密度、更高可靠性和更具成本效益的解决方案时,AOTF9N90就是那个能让您安心托付的可靠伙伴。如需获取样品或技术支援,欢迎联系我们的官方AOS代理商,他们将为您提供专业服务。
- 型号:AOTF9N90
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-220F
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 9A TO220-3F
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.3 欧姆 @ 4.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):58 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2560 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):50W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220F
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- AOTF9N90的官网价格:1000:$1.34334,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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