AOTF8N80

在追求极致能效与可靠性的电力电子领域，每一次设计突破都至关重要。今天，我们为您隆重介绍一款能够重新定义高性能开关应用的功率器件AOTF8N80。这颗来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和7.4A的强劲电流处理能力，为您的高压电路设计注入澎湃动力。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动与照明镇流器中，AOTF8N80将如何大显身手。它高达800V的漏源电压（Vdss）为您提供了充裕的设计余量，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰，确保系统在严苛环境下依然稳定如山。其优化的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）特性，意味着更低的导通损耗和开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率，让您的设备运行更凉爽、更持久，显著降低运营成本。

选择AOTF8N80，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。它采用坚固可靠的TO-220-3F封装，便于安装和散热，工作温度范围宽达-55°C至150°C，适应从工业到消费类的各种环境挑战。这颗芯片背后，是AOS在功率半导体领域深厚的积累与创新。当您通过正规的AOS授权代理渠道获取它时，您获得的不仅是原装正品保障和可靠的技术支持，更是贯穿产品生命周期的质量承诺。它将复杂的功率管理化繁为简，让您的设计团队能够将精力聚焦于系统创新，而非基础器件的可靠性担忧。立即将AOTF8N80纳入您的下一代设计，亲身体验它如何以稳定的性能释放能量，以高效的转换创造价值，助您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:AOTF8N80
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.63 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF8N80的官网价格：1000:$1.11958，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。