




AOTF4T60P
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 4A TO220-3F
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOTF4T60P参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界里,一颗强大的心脏至关重要。今天,我们为您隆重介绍AOTF4T60P,这颗来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的N沟道功率MOSFET,正是为应对严苛挑战而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品性能、保障系统稳定运行的得力伙伴。凭借其600V的高耐压能力和4A的连续漏极电流,它为您打开了通往高效、紧凑、可靠设计的大门,让每一次能量转换都精准而有力。
想象一下,在那些对效率和空间都要求极高的应用场景中,AOTF4T60P都能大放异彩。无论是开关电源(SMPS)中作为核心开关,驱动着您的适配器、充电器或LED照明系统高效运转;还是在电机控制、逆变器等工业动力系统中,承担起快速、精准的功率切换重任,确保设备平稳运行。其TO-220-3F的经典封装,兼顾了优异的散热性能与通孔安装的稳固性,让它在各种PCB布局中都能游刃有余,轻松应对从消费级到工业级的广泛需求。
选择AOTF4T60P,就是选择了一份安心的保障和显著的性能提升。它拥有仅2.1欧姆的低导通电阻(在10V驱动下),这意味着更低的传导损耗和更高的整体效率,直接为您节省能源成本。极低的栅极电荷(15nC)和输入电容,确保了超快的开关速度,减少了开关损耗,让系统响应更迅捷。宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)和高达35W的功率耗散能力,赋予了它无与伦比的鲁棒性,即使在恶劣环境下也能稳定工作,大大延长了产品的使用寿命。为了确保您能获得正品保障与专业的技术支持,我们强烈建议您通过官方AOS授权代理进行采购,这不仅是品质的承诺,更是项目成功的坚实后盾。
当您需要一颗能够在高压、高效、高可靠性应用中担当重任的功率开关时,AOTF4T60P无疑是您值得信赖的选择。它将AOS先进的MOSFET技术与经过市场验证的封装完美结合,为您带来卓越的性能价值和长期的运行信心。让它成为您下一个创新设计的核心动力,共同开启高效能源管理的新篇章。
- 型号:AOTF4T60P
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-220F
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220-3F
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.1 欧姆 @ 2A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):15 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):522 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):35W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220F
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- AOTF4T60P的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























