AOTF8N50

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能成为您产品脱颖而出的关键。今天，我们为您隆重介绍来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的卓越力作AOTF8N50。这颗N沟道功率MOSFET，以其高达500V的漏源电压和8A的连续漏极电流能力，为您的高压、高功率应用场景注入了澎湃而稳定的动力源泉。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统效率、简化设计复杂度的战略伙伴，让每一次能量转换都精准、高效且值得信赖。

想象一下，在您精心设计的开关电源、电机驱动或功率因数校正（PFC）电路中，AOTF8N50正扮演着能量流“指挥官”的角色。它凭借出色的电气特性，如低至850毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，这意味着您的设备能在更低的温升下运行，整体能效得到显著提升，直接转化为产品的市场竞争力与用户的长期信赖。无论是工业自动化设备中驱动电机的瞬间爆发力，还是数据中心服务器电源里要求7x24小时不间断的稳定供电，这颗芯片都能游刃有余，确保系统坚如磐石。

选择AOTF8N50，就是选择了一份从容与保障。其TO-220-3F的经典封装，兼顾了优异的散热性能与便捷的安装工艺，让您的生产组装流程更加顺畅。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了产品应对严苛环境挑战的强大韧性。更重要的是，当您通过值得信赖的AOS一级代理进行采购时，您获得的不仅是原装正品和稳定的供货保障，更是来自源头的技术支持和完整的供应链服务，让您的产品开发与量产之路再无后顾之忧。立即将AOTF8N50纳入您的设计，亲身体验它如何以卓越性能，为您的下一个明星产品奠定坚实的功率基础。

• 型号:AOTF8N50
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1042 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:38.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF8N50的官网价格：1000:$0.60984，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。