




AOB360A70L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263(D2PAK)
- 技术参数:MOSFET N-CH 700V 12A TO263
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOB360A70L参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心往往能决定整个系统的成败。今天,我们为您隆重介绍来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的明星产品AOB360A70L。它不仅仅是一个N沟道MOSFET,更是aMOS5技术家族的杰出代表,专为应对严苛的高压、高功率应用挑战而生。想象一下,将高达700V的电压和12A的持续电流掌控于方寸之间,同时保持卓越的散热与开关性能,这正是AOB360A70L为您带来的核心价值。它意味着您的电源设计可以更紧凑、更高效,同时获得前所未有的坚固耐用性,直接转化为产品市场竞争力的跃升。
这颗芯片的能量,正在全球无数关键应用中闪耀光芒。无论是工业级开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路,还是不断进化的电动汽车充电桩、太阳能逆变器乃至高要求的电机驱动系统,AOB360A70L都是工程师信赖的伙伴。其TO-263(D2Pak)封装不仅提供了优异的表面贴装便利性,更确保了在高达156W的功率耗散下,依然能稳定工作在-55°C至150°C的广阔温度范围。这意味着,从炎热的户外设备到寒冷环境下的工业控制,它都能持续稳定输出,保障系统7x24小时不间断可靠运行,让您的终端产品无惧环境考验,赢得用户长久信赖。
为什么众多领先企业将AOB360A70L作为首选?答案在于其精妙的平衡艺术。在10V驱动电压下,仅360毫欧的超低导通电阻(RdsOn)大幅降低了导通损耗,而22.5nC的极低栅极电荷(Qg)则显著提升了开关速度、减少了开关损耗。这一“双低”特性共同作用,直接带来了系统整体效率的显著提升和温升的有效控制。选择AOB360A70L,就是选择了一种经过市场验证的高性价比解决方案,它能帮助您缩短研发周期,加速产品上市。为确保您能获得稳定可靠的正品供应与全面的技术支持,我们强烈建议您通过官方授权的AOS一级代理进行采购。立即行动,让AOB360A70L成为您下一代功率设计的强大心脏,共同开启高效、可靠的电能转换新纪元!
- 型号:AOB360A70L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-263(D2PAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 700V 12A TO263
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):360 毫欧 @ 6A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22.5 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1360 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):156W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- AOB360A70L的官网价格:1:$3.32000|800:$1.14560,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























