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AON6506

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 33A/36A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON6506参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗强大的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款曾备受市场青睐的经典功率解决方案AON6506。尽管它目前已进入停产状态,但其卓越的性能参数和久经考验的可靠性,依然在众多成熟应用和备件市场中闪耀着价值光芒,是您构建稳定、高效电源系统的经典之选。

想象一下,在您的DC-DC转换器、电机驱动控制或负载开关电路中,需要一颗能够从容应对30V电压、持续承载高达33A电流的“能量守门员”。AON6506正是这样一位可靠的伙伴。它采用先进的N沟道MOSFET技术,在仅需4.5V的低驱动电压下即可实现优异的导通特性。其超低的2.6毫欧导通电阻(在10V Vgs,20A条件下),意味着更少的能量以热量的形式被浪费,直接为您带来更高的系统整体效率和更凉爽的运行温度。无论是提升电池供电设备的续航,还是增强工业设备的稳定性,它都能出色完成任务。

这款芯片的价值不仅体现在参数表上,更融入于广泛的应用场景之中。它那紧凑的8-DFN(5x6)封装,非常适合空间受限的现代电子产品设计,让您在有限的板级面积内实现强大的功率处理能力。从-55°C到150°C的宽广结温工作范围,赋予了它应对严苛环境挑战的底气,无论是户外通信设备、汽车电子周边,还是工业自动化控制模块,AON6506都能提供稳定如一的表现。其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,还有助于简化您的驱动电路设计,实现更快、更干净的开关动作,从而提升系统响应速度。

选择AON6506,就是选择一份经过市场验证的安心与高效。对于仍在沿用经典设计的项目,或是需要长期稳定备件供应的客户而言,这颗芯片代表了一种高性价比且风险可控的解决方案。它的性能遗产包括高达83W(Tc)的强劲功率耗散能力确保了系统在面对突发负载时也能游刃有余。我们理解,可靠供应链对项目至关重要,如需咨询该型号的库存或寻找性能相近的替代方案,欢迎联系我们的AOS总代理,获取专业的元器件支持与服务。让这颗经典的功率芯片,继续为您的创新产品注入强劲而稳定的动力。

  • 型号:AON6506
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN(5x6)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 33A/36A 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A(Ta),36A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.6 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):60 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2719 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):4.2W(Ta),83W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
  • AON6506的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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