AOSD26313C

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗性能卓越的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们隆重向您介绍一款能够为您的设计注入强大动力的核心元件AOSD26313C。这款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）精心打造的N/P沟道互补型MOSFET阵列，以其卓越的电气性能和坚固的可靠性，正成为工程师们应对复杂功率管理挑战的得力助手。它不仅是一颗芯片，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的可靠伙伴。

想象一下，在您的便携式设备、电源模块或电机驱动电路中，AOSD26313C能够大显身手。其30V的漏源电压和高达7A的连续漏极电流，为各种中等功率应用提供了坚实的保障。无论是需要高效同步整流的DC-DC转换器，还是要求精密控制的H桥电机驱动，这颗芯片都能游刃有余。其极低的导通电阻（最低仅20毫欧）意味着更少的能量损耗和发热，直接转化为更长的电池续航和更凉爽的系统运行温度，让您的终端产品在市场中脱颖而出，赢得用户的持久信赖。

选择AOSD26313C，就是选择了一份安心与高效。它将N沟道和P沟道MOSFET集成于紧凑的8-SOIC封装之内，为您节省了宝贵的PCB空间，简化了布局布线。其优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关动作，显著提升了系统的整体响应速度和效率。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）使其能够从容应对苛刻的环境挑战。当您寻求稳定可靠的供应与技术支持时，我们的AOS中国代理网络随时准备为您提供全方位的服务，从选型支持到供应链保障，助力您的项目从蓝图走向成功。立即采用AOSD26313C，开启您的高效、可靠设计新篇章！

• 型号:AOSD26313C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta），5.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 7A，10V，32 毫欧 @ 5.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A，2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20nC @ 10V，33nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:600pF @ 15V，1100pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AOSD26313C的官网价格：3000:$0.18891，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。