AOT5N100

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能成为您产品脱颖而出的关键。今天，我们为您带来一款在高压应用领域表现卓越的功率开关解决方案AOT5N100。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统性能、简化设计挑战、赢得市场竞争的有力伙伴。凭借其高达1000V的漏源电压和稳健的4A连续电流能力，这颗芯片为您的设计注入了强大的动力与极高的安全裕度，让您在面对复杂工况时依然信心十足。

想象一下，在开关电源、电机驱动、不间断电源（UPS）乃至工业照明等高压高频应用场景中，AOT5N100都能游刃有余地扮演着高效能量转换的核心角色。它卓越的开关特性与低导通电阻，直接转化为更低的系统损耗和更少的热量产生，这意味着您的终端产品将拥有更长的使用寿命、更高的运行效率，以及更简洁的散热设计。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发面向未来的创新应用，它都能提供坚实可靠的基础。

选择AOT5N100，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。AOS（Alpha & Omega Semiconductor）深厚的半导体技术积淀，确保了每一颗芯片都具备顶级的品质与一致性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-220封装，赋予了它无与伦比的环境适应性与机械可靠性。当您需要专业的选型支持与稳定的供货保障时，遍布全球的AOS代理商网络随时准备为您提供周到的服务。让这颗高效能、高可靠的MOSFET，成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启能效新纪元。

• 型号:AOT5N100
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:195W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT5N100的官网价格：1000:$1.36906，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。