AOW12N50

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能决定整个系统的成败。今天，我们向您隆重介绍AOW12N50来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争的得力引擎。凭借其高达500V的漏源电压和12A的连续漏极电流承载能力，这颗芯片天生就是为应对严苛的高压、大电流环境而设计，为您带来前所未有的稳定与安心。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动、不间断电源（UPS）或工业照明系统中，AOW12N50正以其卓越的性能默默耕耘。它极低的导通电阻（仅520毫欧）意味着更少的能量在开关过程中转化为热量，直接为您带来更高的系统效率和更低的运营成本。无论是面对频繁启停的电机控制，还是要求持续稳定输出的电源转换，它都能游刃有余，确保您的设备在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行，无惧环境挑战。

选择AOW12N50，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。AOS先进的MOSFET技术确保了器件的一致性和长寿命，而其经典的TO-262封装则提供了优异的散热性能和便捷的安装方式，大大简化了您的生产流程。当您需要稳定、高效的功率开关解决方案时，它总是那个值得信赖的答案。为了确保您能获得原厂正品与及时的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的AOS一级代理进行采购，这不仅是品质的保障，更是项目顺利推进的坚实后盾。让AOW12N50成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:AOW12N50
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO262
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1633 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW12N50的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。